RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
104
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3094
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link