RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3520
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link