RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
30
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
18
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3564
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link