RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
29
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
18
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3564
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link