RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3693
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
AMD AE34G2139U2 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C9 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link