RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
18.1
Скорость записи, Гб/сек
9.7
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
3693
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link