RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
18.1
Скорость записи, Гб/сек
9.7
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
3693
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
OCZ OCZ3BE1600C8LV2G 2GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link