RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
25
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3089
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link