RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
42
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
19.6
Скорость записи, Гб/сек
9.4
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3879
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link