RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
41
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
3693
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link