RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony -160% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2994
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link