RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
1858
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link