RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
6.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
27
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.5
11.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
25
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
6.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
1858
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO 5641152 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link