RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
56
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
56
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2455
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link