RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3693
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston KHX16 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link