RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2339
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link