Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    46 left arrow 52
    Wokół strony 12% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    2 left arrow 10.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.2 left arrow 1,519.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17500 left arrow 3200
    Wokół strony 5.47 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    46 left arrow 52
  • Prędkość odczytu, GB/s
    2,909.8 left arrow 10.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,519.2 left arrow 8.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    3200 left arrow 17500
Other
  • Opis
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Taktowanie / szybkość zegara
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    241 left arrow 2319
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania