RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
52
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17500
3200
Wokół strony 5.47 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
52
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17500
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2319
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link