Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Gesamtnote
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Unterschiede

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    46 left arrow 52
    Rund um 12% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2 left arrow 10.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.2 left arrow 1,519.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17500 left arrow 3200
    Rund um 5.47 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    46 left arrow 52
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2,909.8 left arrow 10.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,519.2 left arrow 8.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    3200 left arrow 17500
Other
  • Beschreibung
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    241 left arrow 2319
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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