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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
52
Autour de 12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17500
3200
Autour de 5.47 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
52
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17500
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2319
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calculate
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calculate
Absolute Latency
0 ns
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