RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3409
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link