RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
38
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
29
Velocità di lettura, GB/s
15.5
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3409
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link