RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905622-025.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2339
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link