A-DATA Technology DDR3 1600 4GB против SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

41 43

Около 5% меньшая задержка

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

12.3 8.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 43
Скорость чтения, Гб/сек

14.0 14.0
Скорость записи, Гб/сек

8.5 12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2324 2867

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 9905734-062.A00G 32GB

Kingston 9905734-062.A00G 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

UMAX Technology 16GB

UMAX Technology 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB

Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB

модули RAM