RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3963
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link