Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Средняя оценка

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

49 86

Около 43% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.1 5.7

Среднее значение в тестах

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

12.1 10.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 86
Скорость чтения, Гб/сек

10.2 12.1
Скорость записи, Гб/сек

8.1 5.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2465 1220

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB

Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB

Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB

Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB

Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 9905625-065.A00G 16GB

Kingston 9905625-065.A00G 16GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB

Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

модули RAM

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB

Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB

модули RAM