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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
86
左右 43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.1
10.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
86
读取速度,GB/s
10.2
12.1
写入速度,GB/s
8.1
5.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
1220
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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