RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
87
Wokół strony -295% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2989
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link