RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1933
3134
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link