RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1933
3134
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link