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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Confronto
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
42
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
29
Velocità di lettura, GB/s
12.0
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1933
3134
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
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