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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
15.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
3693
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparações de RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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