RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
29
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
18
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3529
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link