RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
2155
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link