RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB против Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
13.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1932
2155
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link