RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB против Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
13.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1932
2155
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link