RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
29
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
18
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3814
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link