RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
29
Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
18
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
3814
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link