Confronto tra le RAM Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Punteggio complessivo

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

18 29

Intorno -61% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

20.4 16.9

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

17.2 12.0

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2601 3814

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns