RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
30
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
18
Velocità di lettura, GB/s
10.6
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3564
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link