RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
43
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
41
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2154
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link