RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3036
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link