RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
104
Wokół strony -478% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3722
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link