RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
19200
Wokół strony 1.22 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
23400
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3366
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link