RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
27
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
19200
Rund um 1.22 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
23400
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3366
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link