RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
55
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
55
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2665
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link