RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
75
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
75
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1640
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link