RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
75
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
75
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1640
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link