RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
75
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
75
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1640
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link