RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
75
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
75
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1640
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link