RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3026
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link