RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
43
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1393
2455
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link