RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2495
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link