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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
16.1
16.6
写入速度,GB/s
10.1
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2495
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Samsung M393B2G70EB0-CMA 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
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