RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
104
Autour de -247% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3026
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link