RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
50
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
50
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2512
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link